0571-81111602
更新时间：2026-08-16 00:00:33
已登记
详细信息
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知识产权名称
基于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备制备效率数据
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登记编号
DIP2024000007477
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申请人
衢州市新材料产业知识产权联合会
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登记类型
首次登记
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登记有效期
3年
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申请时间
2024-09-01 17:12:16
详细信息
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所属行业
制造业
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交易状态
待交易
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数据规模
530
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更新频次
按需更新
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应用场景
本数据适用于反应温度在250°C至400°C之间的PECVD实验。这个温度范围内，等离子体增强化学气相沉积技术能够有效沉积薄膜材料，特别是在低温条件下沉积高质量的绝缘和导电薄膜。本数据特别适用于高质量薄膜材料的制备研究，如绝缘膜、半导体膜、光学膜等。通过调整反应条件，可以控制膜厚、介电常数、透光率等关键性能。适用于从事薄膜材料及PECVD工艺研究的科研人员，他们可以利用这些数据进行实验设计和结果分析。数据提供了薄膜厚度、介电常数、透光率的综合效能评分，能够帮助研究人员和工程师快速选择合适的工艺参数，实现最优的薄膜性能。利用数据中的综合效能指标，可以在保证薄膜质量的前提下，最大化生产效率，特别是在大规模工业生产中。通过这些数据的应用，本领域人员能够更加高效地优化PECVD工艺，提升薄膜材料的质量和生产效率，为研究和工业应用提供可靠的支持。
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算法规则简要说明
膜厚(nm):产生的薄膜厚度。 膜的介电常数:薄膜的电学性能指标，反映薄膜的介电性能。 膜的透光率(%):薄膜的光学性能指标，反映薄膜对光的透过能力。 综合效能E是基于以下因素的加权和：膜厚(T):权重为0.3；膜的介电常数(K):权重为0.4；膜的透光率(L):权重为0.3； 可以计算综合效能E的公式E=0.3×T评分+0.4×K评分+0.3×L评分 其中，膜厚评分T评分、介电常数评分K评分和透光率评分L评分可以通过将原始值标准化（如采用线性插值法或归一化方法）
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更新频次
按需更新
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存证平台
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